常规驱动与?;さ缏吠冀?

通常设计的驱动电路,多为采用脉冲变压器耦合,优点是:结构简单,适用中小变换设备上.缺点是:不适用大型设备上的大功率M0SFET或IGBT器件,而且存在波形失真,容易振荡,尤其是脉冲变压器耦合不良漏感偏大时更为严重,抑制误触能力低.这是一种无源驱动器,而高频大功率器件M0SFET与IGBT,宜采用有源驱动器.


 

  通常?;さ缏?利用互感器实现电流--电压的比值转换,信号的电平高于稳压管稳压值输入PWM芯片的?;そ沤刂拐竦垂ぷ鞯谋;し绞?这种电路的缺点是:响应速度慢,动作迟缓,对短路性电流增长过快下,可能来不及动作.

  而采用电子高速检测?;さ缏?则过流动作响应速度极快,可靠性高,效果好,是一种理想的?;さ缏?克服了利用互感器的一些不足.

  驱动电路(电压型):

  如图1所示:图1(a)适合于低频小电流驱动.当控制信号Vi为高电平时,V1导通,输出Vo对应控制的开关管(IGBT)导通;当控制信号Vi为低电平时,V2导通,输出Vo对应控制的开关管(IGBT)被关断.

 

 
 
图1 驱动线路(电压型)
 


  图1(b)采用场效应管组成推挽电路,其工作原理同图1(a),这种电路高频峰值驱动电流可达10A以上,适用于大功率M0SFET或IGBT.

  电子高速检测?;さ缏?

  如图2所示:在正常工作时,V2导通VDS处于低电平,A点电位通过D2回流至D点,因为漏极处于低电位,所以A点也处于低电位状态,不对V1产生偏置构成对V2的影响.

 

 
图2 电子高速检测?;さ缏?br />  


  当M0SFET过流时,漏极电压VDS迅速上升, D2承受反向电压截止,由R1 、C1的充电作用,A点电位开始升高,直到使V1导通,将G极电位下拉接近0V,从而使M0SFET可靠关断而处于截止状态,限制了过电流.R1 、C1有两个作用,其一是当FET的栅极加速向偏置信号使其导通瞬间,C1瞬间短路,保持V1的截止状态,以至不影响FET的开通,当C1充电电压上升时,还没到V1开通,FET已经开通,由D2的作用,使A点箝位, V1始终不开通,FET正常工作.其二是当FET过流时,VDS迅速上升,D2立即反向截止,A点电位开始积分延时,当积分到V1开通时,FET截止,这段时间为?;ざ魇奔?是由R1和C1的参数决定的.这种过电流?;さ缏房梢栽?.1μS级的时间内将过电流FET关断.图中D2选用高压超快恢复型二极管, D3选低压超快恢复型肖特基二植管,可消除D4稳压管存在较大结电容形成电荷位移电流对V1的影响.
3.驱动?;ざ弦坏缏?br />
  将上述的驱动电路与?;さ缏方岷掀鹄?两者功能将一体化,是本线路的独到之处.实用电路如图3所示:

  3.1实用驱动?;ざ弦坏缏?br />
 

 
图3 驱动?;ざ弦坏缏?br />  


  图3适用于低频小功率驱动,如果将双极型NPN与PNP三极管换成N沟道与P沟道大功率场管后就可形成高频大电流驱动器.

  图中不采用光电耦合器作信号隔离而用磁环变压器耦合方波信号,简单而且不存在光电耦合器的上升下降波沿,光电管速度不可能过快,变压器传输可获得陡直上升下降波沿,几乎没有传输延时.使用高频大功率的MOSFET驱动器,无论使用何种器件(VMOS或IGBT),都能获得很好的效果.

  本电路驱动速度快,过流?;ざ鞴囟峡?是比较理想的驱动?;ざ弦皇涤玫缏?

  采用肖特基管的驱动?;さ缏?/span>

 

 
图4 肖特基管的驱动?;さ缏?br />  


  如图4所示:图中D4选用高频低压降肖特基管,用于V1的抗过饱,减小存储时间提高关断速度.D2用超快恢复二极管.其工作原理:C1对开通瞬间不能突变,有两个作用:一是方波高于ZW稳压值使V1基极偏置而导通,经R5与D3对FET驱动导通后漏极处低电平D2导通箝位,V1的偏置回路维持导通,电容C1始终处于低电平.当发生过流时,VDS迅速上升,ZW低于稳压值将失去导通回路V1将截止.二是R3与C1形成积分延时,并且C1可通过R3在负半周的负电位而更加可靠地开通V1.

  3.3增加软关断技术的驱动?;さ缏?br />
 

 
对于IGBT器件增加软关断技术的电路如图5所示: